首页> 外文会议> >What is the metal role an the fermi-level position at the interface with IV-IV compounds ?

【24h】

What is the metal role an the fermi-level position at the interface with IV-IV compounds ?

机译：与IV-IV化合物的界面处的费米能级位置的金属作用是什么？

获取原文

页面导航

著录项
相似文献
相关主题

著录项

来源
《》|1998年|P.207-209|共3页
会议地点
作者
Aubry-Fortuna; V.; Perrossier; J.-L.;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Effect of atomically controlled interfaces on Fermi-level pinning at metal/Ge interfaces [J] . K. Yamane, K. Hamaya, Y. Ando, Applied Physicsletters . 2010,第16期

机译：原子控制界面对金属/ Ge界面费米能级钉扎的影响
2. Fermi-Level Pinning at Metal/High-$k$ Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate [J] . Yang Z. C., Huang A. P., Zheng X. H., Electron Device Letters, IEEE . 2010,第10期

机译：金属栅极的电子态密度对金属/高$ k $界面上的费米能级钉扎
3. Fermi-level pinning at the interface between metals and nitrogen-doped Ge_2Sb_2Te_5 examined by x-ray photoelectron spectroscopy [J] . Una Wei-Wei Fang, Rong Zhao, Jisheng Pan, Applied Physicsletters . 2009,第19期

机译：X射线光电子能谱研究了金属与氮掺杂的Ge_2Sb_2Te_5之间的界面处的费米能级钉扎
4. What is the metal role an the fermi-level position at the interface with IV-IV compounds ? [C] . Aubry-Fortuna V., Perrossier J.-L., Institute of Electric and Electronic Engineer European Workshop on Materials for Advanced Metallization . 1998

机译：什么是金属角色与IV-IV化合物界面的费米级位置？
5. The Nowotny chimney ladder phases: The role of electron counts and interfaces in the stability of intermetallic compounds. [D] . Fredrickson, Daniel Clifford. 2005

机译：诺沃特尼烟囱阶梯相：电子计数和界面在金属间化合物稳定性中的作用。
6. Assessing the Electrode-Neuron Interface with the Electrically Evoked Compound Action Potential Electrode Position and Behavioral Thresholds [O] . Lindsay DeVries, Rachel Scheperle, Julie Arenberg Bierer 2016

机译：用电诱发的复合动作电位电极位置和行为阈值评估电极-神经元界面
7. Fermi-level position at a semiconductor-metal interface [O] . Zur A., McGill T. C., Smith D. L. 1983

机译：半导体-金属界面处的费米能级位置
8. Schottky-Barrier Formation on a Covalent Semiconductor without Fermi-Level Pinning: The Metal-MoS2(0001) Interface [R] . Lince, J. R., Carre, D. J., Fleischauer, P. D. 1988

机译：在没有费米能级钉扎的共价半导体上形成肖特基势垒：金属-mos2（0001）界面

What is the metal role an the fermi-level position at the interface with IV-IV compounds ?

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅