机译:0 / spl deg /// spl plusmn / 45 / spl deg // 90 / spl deg /-取向的CMOSFET的电特性,通过各种离子注入方法制成源/漏
机译:通过7 / spl deg /和0 / spl deg /倾斜角注入制造的具有源/漏区的按比例缩放CMOSFET的电特性
机译:带有45 / spl deg /反射镜的聚合物光波导膜,形成90 / spl deg / V形金刚石刀片
机译:0 / spl deg /// spl plusmn / 45 / spl deg // 90 / spl deg /方向的电特性通过各种离子注入方法制造的具有源极/漏极的CMOSFET
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:多向横向薄片裂缝的分析(0EG。,。+ - 。45.deg。,90.deg。和90.deg。定向)加强层压板和复合板的损坏公差设计
机译:二维锋利边缘平板上的压力分布,0°,30°和45°的扫描角度,齿数为6°,角度为0°~90°