机译:具有440GHz的f {sub} T和26GHz的0.7dB噪声系数的50nm T-Gate变质GaAs HEMT
机译:f_(max)超过408 GHz的GaAs衬底上的增强模式L_g = 50 nm变质InAlAs / InGaAs HEMT
机译:使用两端口微带测试夹具表征高达50 GHz的脑组织的复介电常数
机译:用于40 Gbit / s光接收器的具有50 GHz带宽和低噪声的变质GaAs HEMT分布式放大器
机译:两端口微带测试夹具的设计和实现,用于高达50 GHz的生物材料的复介电常数表征和近场成像。
机译:Bassa 50EC和Vitashield 40EC对攀爬鲈(Anabas testudineus)脑中乙酰胆碱酯酶活性的联合作用
机译:50 nm T栅极变质Gaas HEmT,f T sub>为440 GHz,26 GHz噪声系数为0.7 dB