机译:凹陷的沟道和/或掩埋的源极/漏极结构,用于提高具有高k栅极电介质的肖特基势垒源极/漏极晶体管的性能
机译:对RTS和反向缩放行为的极端短沟道效应:25 nm Nand闪存中的源漏注入效应
机译:具有掺杂隔离肖特基势垒源/漏的P沟道非易失性闪存
机译:新的埋地通道闪存单元,具有对称源/漏极结构,可为64 Mbit或超频
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:铜绿假单胞菌β-酮酰基-(酰基载体蛋白)合酶II(FabF)和C164Q突变体的结构为发现抗菌药物提供了模板并鉴定了掩埋的钾离子和作为晶体形式人工产物的配体结合位点
机译:二进制对称通道上统一无记忆源的联合源通道编码
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。