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Design tradeoffs among MCM-C, MCM-D and MCM-D/C technologies

机译:MCM-C,MCM-D和MCM-D / C技术之间的设计权衡

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摘要

Design tradeoffs in electrical performance, wiring density and cost for MCM-C, MCM-D and MCM-D/C technologies are described. MCM-C includes cofired alumina (AlO) substate using molybdenum metallization and cofired glass-ceramic (GC) substrate using copper metallization. MCM-D technology options include a 2-level (coplanar) and a 4-level (triplate) structures utilizing copper in polyimide. MCM-D/C comprises the hybrid of the aforementioned thin and thick film technologies leading to 3, 4 and 5-level thin film options on top of cofired ceramic substrates. The thin film technologies presented represent a range of ground-rule complexity from 25- mu m to 100- mu m pitch. It is concluded that the choice of a particular MCM technology should be application-specific in terms of its cost, performance and wiring density tradeoffs.
机译:描述了在电气性能,接线密度和MCM-C,MCM-D和MCM-D / C技术的电气性能,布线密度和成本的设计权衡。 MCM-C包括使用铜金属化的钼金属化和COFIDED玻璃 - 陶瓷(GC)基材的COFITED氧化铝(ALO)。 MCM-D技术选项包括使用聚酰亚胺中的铜的2级(共面)和4级(Triple)结构。 MCM-D / C包含前述薄型和厚膜技术的混合动力,导致3,4和5级薄膜选项,位于COFired陶瓷基板顶部。呈现的薄膜技术代表了25-μm至100 - mu m间距的地面规则复杂度的范围。结论是,特定MCM技术的选择应在其成本,性能和布线密度权衡方面进行特定于应用。

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