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Stand-by/active made logic for sub-1 V 1G/4Gb DRAMs

机译：低于1 V 1G / 4Gb DRAM的备用/有源逻辑

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来源
《》|1993年|P.83-84|共2页
会议地点
作者
Takashima; D.; Watanabe; S.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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