机译:具有非平衡电子传输的In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结双极晶体管的正向传输延迟
机译:具有非平衡电子传输的In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结双极晶体管的正向传输延迟
机译:在GaAs衬底上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结双极晶体管中使用的InP,InAlAs和AlGaAsSb变质缓冲层的热特性
机译:在/ SUB 0.53 / GA / SUB 0.47 /作为异结型双极晶体管的前途运输延迟,具有非QuiBiRibium Electron Transpor
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:In0.53Ga0.47as二极管和异质结双极晶体管的击穿和雪崩倍增的温度依赖性
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。