机译:在100-180K下工作的高性能3-5#μ#m光电二极管的HgCdTe的MOVPE生长
机译:分子束外延生长GaAs上HgCdTe在高温红外探测器中的应用
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机译:GOVPE生长(HG,CD)TE层,用于室温,操作3-5 mu M光电导探测器
机译:在Cdte / Si衬底上生长的Hgcdte的退火和器件表征。
机译:MOVPE在晶圆级厚氮化硼层上的柔性金属-半导体-金属器件原型
机译:高温下频红外HGCDTE NBN检测器的理论研究