Dept. of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
Central RD Institute, Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd., Suwon 443-743, Korea;
electronic structure; density functional theory; defect states; transition metal doped TiO_2;
机译:过渡金属掺杂金红石型TiO2的电子结构和缺陷状态
机译:Ad过渡金属掺杂的金红石型TiO_2的电子性质:第一性原理研究
机译:氟掺杂对掺s的TiO_2金红石相电子结构和铁磁稳定性的影响:第一性原理计算
机译:过渡金属掺杂金红石TiO_2的电子结构和缺陷状态
机译:III-VI半导体和氧化物:硒化镓,硒化铟和氧化镓的电子结构,表面形态和过渡金属掺杂。
机译:过渡金属掺杂高岭土纳米粘土的结构与电子性能
机译:过渡金属掺杂的Zn(12)O(12)团簇的电子结构和磁性:缺陷的作用
机译:在高温下提供结构金属抗氧化的基本机制。第二卷。非化学计量金红石(TiO2)和含1~10摩尔%Cb2O5的非化学金红石的缺陷结构。