Analysis Technology Research Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd., JapanrnE-mail address: ichikawa-hiroyuki@sei.co.jp;
Analysis Technology Research Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Japan;
Analysis Technology Research Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Japan;
Semiconductor Technology RD Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Japan;
机译:基于倾斜抛光技术的InP基半导体激光器的电致发光分析
机译:用于高功率和高亮度激光二极管研究的光谱分辨光和电致发光显微镜技术
机译:在近红外和长距离技术中使用二极管激光器进行痕量气体分析
机译:边缘发射激光二极管精确倾斜抛光技术的电致发光分析
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:利用2.3μm二极管激光器的多梳状光反馈腔增强吸收光谱对SF6分解组分CO的高灵敏度和精确分析
机译:用于研究高功率和高亮度激光二极管的光谱分辨光电和电致发光显微技术
机译:电泵浦有机二极管激光器:质子转移聚合物的电致发光