Positron; Ion implantation; Hydrogen; Deuterium; Oxide;
机译:通过等离子体氢化和退火在离子注入硅中的掩埋缺陷层处吸氢
机译:退火温度对C / N / O注入MgO的磁性和诱导缺陷的影响
机译:X射线辐照对MeV离子注入MgO光学性能和缺陷弛豫的影响
机译:MgO中的氢气植入缺陷
机译:6氢碳化硅和4氢碳化硅中本征和离子注入引起的缺陷的电学和光学表征。
机译:Ta / Pd / CoFeMnSiSi / MgO / Pd多层膜的垂直磁各向异性和加氢诱导的磁变化
机译:mgO中的氢注入缺陷