Department of Chemical and Environmental Engineering, University of Arizona, Tucson AZ 85721 USA;
机译:基于传感器的浆料化学模型对铜CMP工艺中材料去除率(MRR)的影响
机译:浆料注射系统位置对浅沟槽隔离化学机械平坦化使用二氧化铈浆料的去除率的影响
机译:使用新型二氧化铈磨料对二氧化硅和氮化硅CMP的摩擦和去除速率的研究
机译:浆料注射位置对铜CMP浆料混合,摩擦力,去除率和工艺温度的影响
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:化学机械平面化过程中浆料混合程度和可用性的浆料注入方案
机译:铜CMP浆料中保证分散稳定性的去除率优化