【24h】

Atomic Force Probing in Analog MOSFETs Measurement

机译:模拟MOSFET测量中的原子力探测

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摘要

Accurately measuring parameter mismatch for analog MOSFETs, such as the threshold voltage (V_t) or W/L ratio, is often required in analog circuit failure analysis. The challenge in probing analog MOSFETs using atomic force probing (AFP) is contact resistance. Contact resistance between AFP tips and tungsten contacts can cause large error at high current. This paper discusses measurement error caused by contact resistance and the techniques to identify and reduce the contact resistance effect.
机译:在模拟电路故障分析中,经常需要准确测量模拟MOSFET的参数失配,例如阈值电压(V_t)或W / L比。使用原子力探测(AFP)探测模拟MOSFET的挑战是接触电阻。 AFP尖端与钨触点之间的接触电阻会在大电流下引起较大的误差。本文讨论了由接触电阻引起的测量误差以及识别和减小接触电阻影响的技术。

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