MOSFET探测器测量组织补偿胶对表面剂量的影响

摘要

目的：使用金属氧化物半导体场效应晶体管探测器(MOSFET)测量表面剂量，探讨X射线、电子线照射时不同厚度组织补偿胶对表面剂量的影响，为临床放疗提供剂量学实验依据。
　　 方法：1.将MOSFET 探测器进行剂量刻度，计算出探头的校准因子。2.实验分为六组，选用6MV、15MV X射线进行照射，未加组织补偿胶为0组，加上组织补偿胶后按厚度从小到大（3mm,5mm,10mm,15mm,20mm）依次记为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ和Ⅴ组，MOSFET 探测器的探头置于体模表面，Ⅰ～Ⅴ组将组织补偿胶敷贴于体模表面照射，0组直接照射。照射条件：源皮距为100cm，射野大小10cm×10cm，加速器输出100MU，对应剂量100cGy。MOSFET 探测器测量各组剂量，每组测10次。3.选用6MeV、9MeV、12MeV 电子线进行照射，方法同2。
　　 结果：1.6MV X射线照射时测得探头的校准因子平均值为3.88mV/cGy，由于同一探头对各能量X射线、电子线有较好的能量响应性，15MV X射线与电子线照射时探头的校准因子亦取3.88mV/cGy。2.X射线照射时，加上补偿胶后表面剂量明显高于未加补偿胶的表面剂量，6MV、15MV X射线最高分别增加109％和224％，且各个补偿胶组与未加补偿胶组测得的数据比较差异有统计学意义(P<0.01)，随着补偿胶厚度的增加，表面剂量增加的百分比依次增加；不同厚度补偿胶组数据两两之间比较差异有统计学意义(P<0.01)。3.电子线照射时，加上补偿胶后表面剂量高于未加补偿胶的表面剂量，6MeV、9MeV,12MeV 电子线最高分别增加32.9％,24.9％和19.7％，且各个补偿胶组与未加补偿胶组测得的数据比较差异有统计学意义(P<0.01)，随着补偿胶厚度的增加，表面剂量增加的百分比先增加后降低；不同厚度补偿胶组数据两两之间比较差异有统计学意义(P<0.01)。
　　 结论：X射线和电子线照射时，加上补偿胶后表面剂量均增加；各种厚度的补偿胶对表面剂量的影响不一，补偿胶对表面剂量的增加，是由于在表面加了一层接近等效水的覆盖物，因此在剂量建成区内，等效水（补偿胶密度×厚度）的厚度影响剂量增加。临床放射治疗中需要结合临床选用合适的射线及补偿胶。

目录

文摘

英文文摘

论文说明：缩略词表

引言

第一部分MOSFET探测器的剂量刻度

第二部分X射线照射时组织补偿胶对表面剂量的影响

第三部分电子线照射时组织补偿胶对表面剂量的影响

结论

参考文献

金属氧化物半导体场效应晶体管探测器的工作原理及在放射治疗中的应用

金属氧化物半导体场效应晶体管测量组织补偿胶对乳腺癌胸壁照射皮肤X线表面剂量的影响

研究生期间公开发表的论文

致谢