Group of 442, Institute of Electronic Engineering and Optoeletronic Technology, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094 China;
Department of electronic electric Engineering, Nanyang Institute of Technology, Nan Yang 473004 China;
NEA; GaN; GaAs; activation manners; stability;
机译:GaN平面和纳米线光电量对铯吸附的比较研究
机译:表面光电压光谱法研究不同铝浓度的AlxGa1-xAs / GaAs光电阴极的比较研究
机译:真空热退火通过热退火对Cs / O-活化的GaN和GaAs光电阴影的量子效率回收
机译:GaN和GaAs光电阴性的比较研究
机译:GaAs光电阴极的极化和电荷极限研究。
机译:变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究
机译:GaAs / GaAsP超晶格光电阴极极化电子发射的系统研究
机译:应变Gaas / Gaasp超晶格光电阴极偏振电子发射的系统研究