Institute of Information Functional Materials, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China;
机译:氮掺杂切克劳斯基生长硅中生长空隙的氢退火
机译:栅氧化完整性与切克劳斯基生长硅中生长缺陷密度的关系
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:Sb和B对Czochralski生长硅的空隙缺陷的影响
机译:Czochralski种植铈和钙共掺杂钇铝石榴石,铈和锂共掺杂钇铝石榴石的原子缺陷,掺杂锂铝酸盐
机译:Czochralski-Grown Nd:LGSB单晶的高效1 µm激光发射
机译:生长点缺陷对Czochralski生长的硅晶片中少数载流子寿命的影响
机译:spE生长入射和鞘内注入硅的缺陷和溶解极限的研究