Department of Science, BUAA university, Beijing 100083, P.R.China;
Si nanostructural materials; photoluminescence; quantum confinement; additional energy levels;
机译:退火环境对富硅氧化铝膜中纳米晶硅相关光致发光的影响
机译:退火环境对富硅氧化铝膜中纳米晶硅相关光致发光的影响
机译:表面氧化对纳米晶金刚石膜中硅空位色中心的光致发光的影响
机译:纳米晶硅NC_SI薄膜发光特性的研究与开发
机译:纳米晶体薄膜用于现场发射显示的阴极发光
机译:通过热退火和污点蚀刻从非晶硅膜制备的纳米晶硅的高效可见光
机译:退火环境对富硅纳米薄膜中纳米硅相关光致发光的影响
机译:印刷纳米晶硅薄膜的电学特性:合作研究与开发最终报告,CRaDa编号:CRD-07-00241