Department of Material and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan, China;
机译:MW-PECVD用液态有机硅前驱物沉积的SiCN:H薄膜:气体比率对沉积物性能的影响
机译:离子撞击对ICP-PECVD沉积的Ti_xSi_(1-x)O_2薄膜的结构和光学性能的影响
机译:ICP-PECVD沉积的TI_XSI_(1-X)O_2膜的结构和光学性能的离子冲击效应
机译:用MOCVD法通过掺杂对Ti_1-XCO_XO_2薄膜薄膜微观结构,晶体结构和光学性质的影响
机译:沉积后注入和退火对PECVD沉积氮化硅膜性能的影响
机译:氮气掺入对VHF PECVD沉积的富含Si的A-SiCx薄膜光学性质的影响
机译:关于技术的特殊文章及其对无机材料合成的表征。 MOCVD制备铁电BI4TI3O12薄膜的制备和电性能。
机译:通过反应CVD沉积在V-4%Cr-4%Ti上的电绝缘薄膜