State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Metallurgy, Chinese Academy of Sciences. Shanghai 200050, China;
机译:适用于超薄SIMOX MOSFET的自对准硅化物技术
机译:退火气氛中离子诱导的缺陷和氧气浓度对SIMOX材料中掩埋氧化物层形成的影响
机译:氢注入对SIMOX SOI材料的影响
机译:SIMOX材料上的Ti,Co和Fe硅化物的研究
机译:对近藤晶格材料的掺杂作用:硅化铁,铈钴铟,铟铜。
机译:研究不同密度的种植牙材料的效果Monte-Carlo模拟和铅笔束卷积的放射治疗剂量分布研究算法
机译:铈基三元硅化物中重费米子和致密近藤系统的研究