Department of Material Science and Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904;
机译:用于ULSI DRAM的高密度双端口存储单元操作和阵列架构
机译:高密度磁阻随机存取存储器的亚微米磁阻隧穿结单元的边缘氧化可减少开关场分布
机译:使用动态随机存取存储单元阵列评估堆叠IC芯片中的平面内局部应力分布,以实现高度可靠的三维IC
机译:高密度DRAM存储器单元中应力分布的三维表征及建模
机译:基于丙烯酸组织学切片的人类冠状动脉粥样斑块三维模型中的应力分布。
机译:VEGF-A在常规单层培养和微流体三维球状模型中细胞胁迫下肿瘤细胞分泌的分泌
机译:高密度DRam存储单元应力分布的三维表征与建模