Application System Engineering STMicroelectronics ASD™ and Discretes Division Discrete Standard ICs Group Rue Pierre et Marie Curie -BP7155 F-37071 Tours Cedex 2, France;
机译:用于电源转换器应用的区域高效,600V 4H-SIC JBS二极管集成MOSFET(JBSFET)
机译:用于600V应用的深沟槽超结二极管的设计与实现
机译:基于交织的PFC整流发光二极管系统的原型实现,用于低功耗应用
机译:TURBO2 600V二极管:PFC和其他应用的优化解决方案
机译:固态照明应用的磷光有机发光二极管的制造和优化。
机译:溶液加工量子点发光二极管的电动流体喷射喷涂优化量子点薄膜
机译:CCm工作下单相pFC应用中600V超结器件的评估