The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
magnetic semiconductors; EXAFS spectroscopy;
机译:使用扩展的X射线吸收精细结构研究III-V稀释的磁性半导体Ga1-xMnxAs的局部结构
机译:荧光EXAFS分析ZnO基稀磁半导体中掺杂的Ni原子周围的局部结构
机译:荧光EXAFS分析ZnO基稀磁半导体中掺杂的Ni原子周围的局部结构
机译:稀土稀释磁半导体Gagdn的局部结构
机译:基于稀释的磁性半导体和混合半导体铁磁纳米结构的非易失性自旋存储器。
机译:铁磁半导体和稀磁半导体中的载流子状态-相干势法
机译:利用X射线吸收精细结构研究了稀磁半导体Ga1-xFexAs中Fe周围的局部结构