Osaka Electro-Communication University, 18-8 Hatsu-cho, Neyagawa, Osaka 572-8530, Japan;
doping and impurity implantation in III-V and II-VI semiconductors; III-V semiconductors; III-V semiconductors; III-V semiconductors;
机译:第II部分:关于针对超高击穿AlGaN / GaN HEMT的GaN缓冲器中的工程设计供体和受体陷阱浓度的建议
机译:勘误表:“ Mg相关受体电离能与分子束外延生长的p型GaN层中受体浓度的关系” [Appl。物理来吧103,032102(2013)]
机译:分子束外延生长的p型GaN层中Mg相关受体电离能与受体浓度的关系
机译:MG受体兴奋状态对GaN孔浓度的影响
机译:铬敏化剂的光物理研究,用于激发态空穴向半导体的转移以及空穴/电子从光激发的硫化镉纳米棒到单核钌水氧化催化剂的顺序转移。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:mg受体激发态对GaN中空穴浓度的影响
机译:椭圆孔位置对拉伸正交异性板应力集中的影响