Microelectronics center, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China;
Microelectronics center, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China;
Microelectronics center, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China;
Microelectronics center, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China;
Research Center of Basic Space Science, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, China;
Protons; SRAM cells; Single event upsets; Integrated circuit modeling; Sensitivity; Transistors; Monte Carlo methods;
机译:3-17低能质子在65 nm商业QDR II SRAM中引发单事件翻转的实验研究
机译:基于实验验证的仿真工具的纳米SOI和体SRAM器件中大气中子诱发单事件扰动的机制
机译:Geant4模拟三维管芯堆叠SRAM器件中质子诱导的单事件翻转
机译:质子诱导散装纳米CMOS SRAM中的单事件upsets模拟
机译:Monte Carlo方法,用于预测SRAM脆弱性对μON和电子诱导的单一事件UPSETS
机译:单个游离扩散质子对肌红蛋白血红素结合位点内部空间的测量。二。与散装质子的相互作用。
机译:三维堆积SRAM中重离子诱导的单一事件的评价方法
机译:用于256k静态Ram(随机存取存储器)的sEU(单事件翻转)测试技术以及重离子和质子引起的扰乱的比较