Institute of Materials Science and Applied Research, Vilnius University, Vilnius, Lithuania;
Department of Solid State Sciences, Ghent University, Krijgslaan 281-S1, B-9000 Gent, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 25, B-3030 Leuven, Belgium;
Umicore, Watertorenstraa;
germanium; silicon; carrier lifetime; metals; microwave absorption;
机译:载流子寿命取决于掺杂,金属注入和Ge和Si中的激发密度
机译:掺杂的InAs / InAsSb II型红外超晶格的少数载流子寿命与温度和掺杂密度的关系
机译:阈值电流密度,载流子寿命和光增益系数对1.3 / spl mu / m n型调制掺杂应变多量子阱激光器中供体浓度的依赖性
机译:载体寿命依赖于Ge和Si的掺杂,金属植入物和励磁密度
机译:硅上异质外延的锗中少数载流子寿命与缺陷密度分布的经验相关性。
机译:关于离子电荷载体数密度估计的掺杂碲酸盐锂 - 硅酸盐玻璃的电气和介电松弛的洞察
机译:GaAs-(Ga,Al)中的辐射寿命,准细胞水平和载体密度为稳态激发条件下的量子阱光致发光