Institute of Physics of the NAS of Ukraine, Prospekt Nauki 46, 03028 Kiev, Ukraine;
Department of Physics, University of Aveiro, Campus Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal;
School of Physics, University of Exeter, Stocker Road, EX4 4QL, Exeter, UK;
School o;
SiGe; alloys; carbon; irradiation; annealing;
机译:Si_(1-x)Ge_x合金中与碳有关的间隙缺陷
机译:Si_(1-x)Ge_x合金中铁缺陷形成能的压力诱导变化的第一性原理计算
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线中供体对缺陷的稳定性
机译:Si_(1-x)Ge_x合金中的间质碳相关缺陷
机译:间隙氢的旋转运动和硅中氢修饰晶格缺陷的振动寿命的红外研究。
机译:通过自组装分子实现无缺陷掺杂单层:间隙中碳相关缺陷的演变。磷掺杂硅
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型