MEMC Electronic Materials SpA Viale Gherzi,31 28100 Novara Italy;
MEMC Electronic Materials Inc POBox 8 501 Pearl Drive StPeters MO USA;
DLTS; lifetime; silicon epitaxial layer; molybdenum; iron;
机译:CCD和CMOS成像器传感器的硅外延层:在线和离线金属检测技术的局限性和挑战
机译:外延层对CMOS图像传感器的外延层对碳簇离子植入硅晶片的室温键合
机译:要求最小和最轻的CMOS图像传感器挑战CCD
机译:CCD和CMOS成像传感器的硅外延层:在线和离线金属检测技术的限制和挑战
机译:使用柱状闪烁体和CCD / CMOS传感器以及FastSPECT III的高分辨率伽马射线成像:第三代固定式SPECT成像器。
机译:使用烃类分子离子植入双外延Si晶片减少CMOS图像传感器像素中的暗电流
机译:使用检测理论使用应用于来自CMOS / CCD传感器的图像的多尺度去噪框架