Omsk State Technical University Omsk Russia;
Thermal stability; Circuit stability; Resistance; Noise level; Transistors; Stability analysis; Broadband amplifiers;
机译:采用130nm SiGe:C BiCMOS技术的220–275 GHz直接转换接收器
机译:在130-NM SiGe BICMOS中使用宽带频率梳散热器的太赫兹信道表征
机译:130 nm SiGe BiCMOS中的低功耗低噪声86 GHz宽带放大器
机译:BICMOS 130 NM中宽带接收器的电流源和电压参考
机译:用于130nm技术的低功耗蓝牙的mW接收器前端
机译:365 nm LED光源的宽带紫外线测量的标准化
机译:130-NM SiGe BICMOS过程中LFMCW雷达接收器的可重构模拟基带电路