Beijing University of Technology Faculty of Information Technology Beijing China;
State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology Beijing China;
Plasma temperature; Cathodes; Anodes; Junctions; Doping; Electric fields;
机译:通过局部寿命控制来调节陷阱能级,从而抑制硅功率二极管的反向恢复浪涌电压
机译:陷阱水平对硅功率二极管反向恢复浪涌的影响
机译:用于高频高压发生器应用的半波串联Cockcroft-Walton倍压器的二极管反向恢复过程和降低
机译:血浆量对高压电力二极管在过电流反向恢复期间的电流长度的影响
机译:针对高压高频应用的最佳4H碳化硅双极功率二极管的开发。
机译:4英寸硅衬底上的高功率基于GaN的垂直发光二极管
机译:反向恢复为50V硅电荷等离子销二极管