Semiconductor R D Center, Samsung Electronics Co. Ltd., Hwasung-si, Gyeonggi-Do, 445-701 Korea;
机译:铜硅通孔(TSV)在热退火过程中的微观结构演变和缺陷形成
机译:铜硅通孔(TSV)在热退火过程中的微观结构演变和缺陷形成
机译:退火条件对电镀Cu-TSV力学和微观结构行为的影响
机译:控制挤压型缺陷Cu TSV的退火过程和结构考虑
机译:通过控制退火实验研究异质外延Si(1-x)Ge(x)薄膜的形态不稳定性和缺陷形成
机译:脉冲电流和预退火对通过硅通孔(TSV)铜热挤出的影响
机译:脉冲电流和预退火对通过硅通孔(TSV)铜热挤出的影响
机译:Y2BaCuO5 / YBa2Cu3O(7-x)界面附近的缺陷及其对熔融加工和淬火 - 熔体 - 生长加工YBa2Cu3O(7-x)中助焊剂钉扎的影响