TopGaN Ltd., ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
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GaN laser; GaN systems; GaN laser bars; tapered laser diodes;
机译:具有夹层GaN / InAlN / GaN下量子势垒的不对称GaN基大功率激光二极管中的效率下降的缓解
机译:抑制Ingan / GaN多量子井生长中V-Pits的形成及其对GaN基激光二极管性能的影响
机译:块状GaN上的350nm波段GaN / AlGaN多量子阱激光二极管
机译:用于量子传感器,时钟,系统和计算的GaN激光二极管
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:直接在Si上生长的室温连续波电泵浦InGaN / GaN量子阱蓝色激光二极管
机译:GAN基发光二极管和垂直腔表面激光的量子效率增强
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质