Department of Electrical and Computer Engineering University of California Santa Barbara 93106 USA;
机译:大消光比和低阈值双腔内接触极化开关VCSEL
机译:腔内接触式浅植入孔VCSEL的大小信号性能和增益切换
机译:基于腔内接触结构的低阈值高功率氧化物限制的850 nm AlInGaAs应变量子阱垂直腔面发射激光器
机译:用于多终端VCSEL电源增强的超紧凑型内腔接触
机译:砷化铝镓-砷化镓镓晶体生长,埋入式隧道接触激光器,晶片键合以及基于砷化镓铝氧化物的VCSEL。
机译:亚波长光栅既可作为发射镜也可作为任何材料系统中VCSEL的电触点
机译:通过多端子HVDC电网集成非常规电源来增强频率稳定性