机译:在平面硅探测器中基于Np-237裂变捕获比测量(光谱指数)和反向暗电流测量的两种快速中子注量测量方法的比较
机译:用平面硅探测器测量快速中子的光线
机译:用平面硅探测器测量快速中子的光线
机译:用于改进探测器中子嬗变掺杂硅的中子流量控制的准确方法
机译:硅光电倍增器上的前端CMOS跨阻抗放大器,耐快中子流量
机译:一种使用原位中子探测器测量中子寿命的新方法
机译:基于NP-237裂变与捕获比率测量(光谱指数)的两种快中子流量测量方法的比较和平面硅探测器中的反向暗电流测量
机译:利用热刺激电流光谱仪研究高能量快中子辐照的高电阻率硅探测器的深能级。