Department of Engineering and System Science, National Tsing-Hua University, 300 Hsinchu, Taiwan;
Department of Engineering and System Science, National Tsing-Hua University, 300 Hsinchu, Taiwan;
Department of Engineering and System Science, National Tsing-Hua University, 300 Hsinchu, Taiwan;
Department of Engineering and System Science, National Tsing-Hua University, 300 Hsinchu, Taiwan;
机译:在Y_2O_3作为钝化层的Si衬底上制备ZrO_2门控晶体Ge金属氧化物半导体电容器
机译:Ge稳定的四方ZrO2作为栅极电介质,用于在Si衬底上制造的Ge金属氧化物半导体电容器
机译:Ge稳定的四方ZrO_2作为栅极电介质,用于在Si衬底上制造的Ge金属氧化物半导体电容器
机译:Si衬底上制造的四方ZrO_2门GE MOS电容器
机译:在透明大面积塑料基板上制造的非晶态水合硅薄膜晶体管的极低温材料和自对准技术
机译:用高温溅射改性钛酸钡制造的薄膜电容器的电性能
机译:在高剂量注入氮的n型4H-siC上制造的mOs电容器的表征
机译:表面增强拉曼散射(sERs)检测在商业和制造的sERs基板上使用按需喷墨技术制造的硝酸铵(aN)样品。