Energy Systems Division, Argonne National Laboratory 9700 South Cass Avenue, Bldg. 362, Argonne, IL 60439-4815;
机译:低压场 - 板功率MOSFET的设计方向,用于艺术值(FOM)限制
机译:eGaN〜(TM)-硅电源大战:优点比较图(FOM)
机译:新型单极开关功率器件的优点
机译:真正的“功率半导体开关的优点(FOM)”图
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机译:大面积1.2 kV GaN垂直电源FinFet,具有记录切换图 - 优点