Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
机译:在硬和软开关条件下通过双脉冲和多脉冲进行GaN功率器件的动态
机译:通过衬底偏角控制改善垂直GaN-on-GaN电源开关器件的晶圆级施主均匀性
机译:一种简单的基于GaN的开关装置的简单门驱动器设计,具有提高的浪涌电压和1 MHz操作的开关损耗
机译:GaN电源开关设备中的设备故障和动态效果:材料属性和设备设计的依赖性
机译:RF和电源交换应用的先进GAN设备和技术
机译:可穿戴设备天线拓扑结构的超石料高效无线电力传输系统设计
机译:双极互补调制转换器腿GaN和Si功率装置的开关性能的比较研究
机译:高功率紧凑型太赫兹真空电子器件材料和器件电子特性的基础研究。