Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
University of Padova, Via Gradenigo 6/B 35131 Padua, Italy;
University of Padova, Via Gradenigo 6/B 35131 Padua, Italy;
University of Padova, Via Gradenigo 6/B 35131 Padua, Italy;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
University of Padova, Via Gradenigo 6/B 35131 Padua, Italy;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
DLTS on nanowires; Deep level traps in GaN; Ⅲ-N light emitting diodes; Molecular beam epitaxy; GaN nanowires; DLTS;
机译:基于多量子阱InGaN / GaN结构的发光二极管的深层瞬态光谱研究
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中少数载流子陷阱的深层瞬态光谱测量过程中的观察
机译:MBE ZnO中的深度水平:AS / N-GaN二极管 - 光致发光,电学性能和深级瞬态光谱
机译:基于(GA)N / GaN纳米线合奏的发光二极管深层瞬态光谱
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:纳米线整体中单(InGa)N / GaN纳米线发光二极管的电致发光和电流电压测量
机译:用深层瞬态光谱研究了离子辅助栅极凹陷工艺对alGaN / GaN肖特基势垒二极管GaN沟道的损伤