Department of Electrical Engineering, Kogakuin University,Nakano-machi 2665-1, Hachioji, Tokyo 192-0015, Japan;
carbon doping; AlGaN; p-type conductivity; electrical activity; shallow acceptor;
机译:高空穴密度的碳掺杂p型(0001)平面AlGaN(Al = 55%)
机译:铟表面活性剂生长的非极性a平面p型AlGaN / GaN超晶格的空穴浓度提高和表面形态改善
机译:“空穴再分配”模型,用于解释碳掺杂AlGaN / GaN电源MIS-HEMTS中的热活化RON应力/恢复瞬变
机译:使用数值模拟评估(0001)平面中的p型4H-SiC压阻系数
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:用交替的Mg掺杂/未掺杂的AlGaN层结构改善p型alga电导率
机译:通过改变MG掺杂平面,P型富含AlaG的高掺杂效率