Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan;
Nanosystem Research Institute (NRI), National Institute of Advanced Industrial Science andTechnology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;
Center for Advanced Nitride Technology (CANTech), Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan;
Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan;
positron annihilation; point defect; vacancy; ion implantation; rare-earth; GaN;
机译:正电子ni没研究Ⅲ族氮化物半导体中的点缺陷
机译:用正电子an没研究InN和GaN中的辐照引起的缺陷
机译:正电子an没光谱研究开口缺陷在掺Mg GaN膜中的作用
机译:通过正电子湮没光谱研究Mg植入GaN中空位型缺陷的控制
机译:飞行时间正电子an灭诱导的俄歇电子能谱研究了真空退火下6H-碳化硅的表面改性。
机译:用正电子湮没光谱和互补方法研究了表面机械磨损处理(SMAT)引起的梯度微观结构
机译:正电子湮没光谱揭示了氟注入GaN层的缺陷形成和退火行为