Vijay Kumar Foundation, 1969 Sector 4, Gurgaon 122001, Haryana, India;
rnUS Army Research Office, Electronics Division, 4300 South Miami Blvd. Durham, NC 27703-9142, USA;
机译:掺Gd的GaN的元素特异性研究:Ga的极小极化,Gd的顺磁性和磁团簇的形成
机译:Gd掺杂的Gan的元素特有磁性:Ga的极小极化和Gd的顺磁性
机译:氧气空位缺陷诱导的活性增强GD掺杂磁性纳米粉用于氧气供应癌症治疗
机译:GaN纳米能器的磁笼掺杂有GD和ND
机译:磁掺杂半导体纳米团簇的计算研究。
机译:具有增强的铁磁和光学响应的钴掺杂GaN纳米线的高品质生长
机译:GD掺杂GaN的元素特异性磁特性:GA的极小极化和GD的副作用
机译:用于磁性和发光应用的GaN的稀土掺杂和共掺杂