Materials and Devices Research Laboratories, Toshiba Corp., 33, Shin-lsogo-Cho, Isogo-ku, Yokohama 235-0017, Japan;
机译:使用铁电膜的图像存储LCD的低功耗操作
机译:用于低功耗的非易失性铁电存储器和氧化物半导体薄膜晶体管组成的显示驱动电路的读出调制方案
机译:包含氧化物和铁电存储薄膜晶体管的低功率液晶显示器的像素架构
机译:结垢厚度和铌掺杂水平对铁电薄膜电容器存储操作的影响
机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存,用于高密度,低功耗和高速三维内存
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性