Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611;
机译:具有原子层外延MgCaO的Si衬底上的增强模式AlGaN / GaN Fin-MOSHEMT
机译:深亚微米T型栅和原子层外延MgCaO作为栅介质的AlGaN / GaN / SiC MOSHEMT的DC和RF性能
机译:原子层外延MgCaO作为栅极电介质实现的高性能InAlN / GaN MOSHEMT
机译:GaN上MgCaO电介质的数字和连续生长技术比较
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:INALN / GAN MOSHEMT的漏极电流为2.3 A / mm高/截止比率为10 12 sup>和64 mV / sup的低SS,由原子层外延Mgcao作为栅极电介质使能