机译:INALN / GAN MOSHEMT的漏极电流为2.3 A / mm高/截止比率为10 12 sup>和64 mV / sup的低SS,由原子层外延Mgcao作为栅极电介质使能
机译:原子层外延MgCaO作为栅极电介质实现的高性能InAlN / GaN MOSHEMT
机译:深亚微米T型栅和原子层外延MgCaO作为栅介质的AlGaN / GaN / SiC MOSHEMT的DC和RF性能
机译:Y_2O_3栅极电介质InAlN / Si-Si上的GaN(111)MOSHEMT的正阈值电压漂移相对于HEMT
机译:INALN / GAN MOSHEMT的漏极电流为2.3 A / mm高/截止比率为10 12 sup>和64 mV / sup的低SS,由原子层外延Mgcao作为栅极电介质使能
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:具有离子凝胶栅极电介质的生物组装的所有碳纳米管纳米网状晶体管的超低压操作
机译:在栅极应力下的W波段中的栅极电流降解/ ALN / GaN HEMT
机译:ada编译器验证摘要报告:证书编号:921004W1.11277 Verdix Corporation,VaDsworks DEC-RIsC => mIps R3000,Vada-115-61640,版本2.0在Ultrix V4.1下的DECstation 5000/200 => sanders sTaR mVp板,运行vxWorks 5.0。