Department of Electrical Engineering, Ching-Yun University, 229, Chien-Hsin Road, Jung-Li 320, Taiwan, Republic of China;
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, 2 Peining Road, Keelung, 202, Taiwan, Republic of China;
Depar;
机译:带偏置的双发射极光电晶体管和带偏置的异质结光电晶体管的调谐性能特性比较
机译:基本电流偏置四端双发射极异质结光电晶体管的低光功率表征
机译:非本征表面钝化双发射极异质结光电晶体管
机译:基础钝化对双发射异结光学晶体管光学性能的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于α-硼酮纳米与边缘钝化的异质结的性能
机译:基于GaAs / Algaas表面发射激光器和异质结光电晶体的集成的二进制光开关和可编程光学逻辑门
机译:用于光学神经网络的高增益alGaas / Gaas双异质结达林顿光电晶体管