Lavoisier Institute (UMR 8180), University of Versailles - CNRS, Versailles, France;
机译:化合物半导体电极上阳极膜的生长:(NH_4)_2S水溶液中的InP
机译:Li,超薄乙烯碳酸薄膜和CoO(111)薄膜之间的相互作用:CoO阳极固体电解质相互相互作用的模型研究
机译:Zn掺杂对InP(111)B衬底上InP薄膜层表面结构和初始生长过程的影响
机译:INP上薄阳极薄膜的生长和形成
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:低温阳极氧化硅薄膜的生长和腐蚀速率研究
机译:在KOH和(NH4)2S中InP上阳极膜的生长和表征
机译:锆的阳极极化研究:(Ⅰ)高电位和低电位测量的形成场(Ⅱ)极薄阳极氧化膜的孔隙率(Ⅲ)极薄气化氧化膜的厚度(Ⅳ)a低电位电流电压调节器