机译:通过深度依赖性载体寿命测量去耦堆积和表面重组性能
机译:结合深耗尽分析和电容瞬态来评估MOS体缺陷的能量和深度分布的综合方法
机译:伊佐碰撞区外壳剥落史的中医kaikomagatake花岗型芦苇勘察估算估算
机译:通过测量散装缺陷的重组活性来评估裸露的区域深度
机译:硅光生伏打材料中非接触光谱的体寿命和表面复合速度的光谱测量。
机译:时间分辨光致发光测量中具有不同表面处理的薄膜半导体的体相和表面复合特性
机译:硅晶片中自由载体的本体和表面复合的扩散模型:I.精确溶液和本体寿命评估
机译:通过产生裸露的复合区改进太阳能电池的体和III-V半导体半导体。最终分包合同报告,1986年9月1日至1990年6月30日。