European Southern Observatory, Karl Schwarzschildstrasse 2 D-85748 Garching, Germany;
infrared detector; hawaii-2RG; HgCdTe; readout noise; dark current; quantum efficiency; persistence;
机译:在4英寸硅基板上由MBE-生长的HgCdTe制成高性能的大幅面MWIR焦平面阵列
机译:高性能LWIR MBE生长的HgCdTe / Si焦平面阵列
机译:高性能LWIR MBE生长的HgCdTe / Si焦平面阵列
机译:大幅面的性能2KX2K MBE种植HGCDTE夏威夷-2RG阵列用于低通量应用
机译:MBE生长的用于光伏应用的半导体材料的特性。
机译:在Ni泡沫材料上生长的NiCo2S4 @ NiMoO4核-壳异质结构纳米管阵列作为无粘结剂电极表现出高电化学性能和高容量
机译:从100K到300K的基于MBE-种植的HGCDTE的超晶格的热电性能
机译:分子束外延(mBE)对HgCdTe缺陷的影响。