Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng-Kung University, 1 University Road, Tainan, TAIWAN 70101, Republic of China;
quantum-well; schottky; delta-doped-channel;
机译:具有调制的InGaAs掺杂通道的InGaP / InGaAs伪致机场效应晶体管的特性
机译:InGaP / InGaAs场效应晶体管型氢传感器
机译:栅极热氧化层对InGaP / InGaAs掺杂沟道场效应晶体管的影响
机译:Ingap / Ingaas量子井倾散频道场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有溅射介电层的高性能包裹栅InGaAs纳米线场效应晶体管
机译:Ingap / IngaAsn / GaAs NPN双异质结双极晶体管
机译:InGap / InGaasN / Gaas NpN双异质结双极晶体管