Institute of Optoelectronics Shenzhen University, Shenzhen, China 518060;
GaN film; optical properties; surface treated; MOCVD;
机译:钛氧化物纳米粒子旋涂在r面蓝宝石衬底上:对非极性a面GaN和InGaN / GaN多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:低温GaN缓冲层的Ⅴ/Ⅲ比对MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的a-GaN膜的结构和光学性能的影响
机译:在MOCVD-GaN /蓝宝石模板和氨热GaN种子上生长的HVPE-GaN:结构,光学和电学性质的比较
机译:蓝宝石对GaN光学性质预处理的影响
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:通过GaN模板的原位SiNx预处理改善了InGaN / GaN量子的晶体质量和光学性能