Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan, Republic of China;
Department of Electro-Optical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan, Republic of China;
AZO; co-sputter; GaN; light-emitting diodes (LEDs); nano-particles; ZnO;
机译:非晶光子晶体对GaN基薄膜倒装芯片发光二极管光提取效率增强的影响分析
机译:具有三维光子晶体(3-D-PhC)背面反射器的大功率GaN基发光二极管的提高的光提取效率
机译:提高GaN基发光二极管的光提取效率
机译:AZO薄膜具有纳米颗粒,提高GaN的发光二极管的光提取效率
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:提高具有抗反射界面层的GaN基倒装芯片发光二极管的光提取效率